據外媒報道，全球最大存儲芯片制造商三星電子周二宣布，該公司開始使用極紫外光刻（EUV）技術批量生產業(yè)界最小的14納米DRAM芯片，這有助于其鞏固在存儲行業(yè)的領導地位。

繼去年3月出貨業(yè)界首款EUV DRAM之后，三星電子已將EUV層的數量增加到5層，為其DDR5解決方案提供當今最精細、最先進的DRAM生產工藝。

DDR5是下一代DRAM標準，與DDR4相比，它具有速度快、密度高、功耗低的特點。        它還針對大數據、人工智能（AI）和機器學習等數據密集型應用進行了優(yōu)化。

三星電子表示，EUV技術減少了多圖案繪制中的重復步驟，提高了圖案繪制的準確性，從而實現了更好的性能和更高的產量，并縮短了開發(fā)時間。