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發(fā)布《中國互聯(lián)網(wǎng)絡發(fā)展狀況統(tǒng)計報告》:實現(xiàn)7nm芯片試產(chǎn)

8月27日,中國互聯(lián)網(wǎng)絡信息中心(CNNIC)在京發(fā)布第48次《中國互聯(lián)網(wǎng)絡發(fā)展狀況統(tǒng)計報告》。

報告顯示,在芯片技術領域,我國芯片封裝和測試行業(yè)已經(jīng)基本形成完整的、自主可控的產(chǎn)業(yè)鏈,這為我國全面推進芯片制造裝備技術體系的發(fā)展打下良好的基礎。

在芯片制造方面,我國實現(xiàn)7nm芯片試產(chǎn),取得新的發(fā)展。依托龐大的應用市場,我國近年來在人工智能芯片、基于開源指令集高端芯片、行業(yè)專用芯片設計領域同樣發(fā)展迅速。

報告稱,在芯片技術領域,2021年3月,由我國科研人員主導的國際團隊宣布研發(fā)出一款新型可編程光量子計算芯片,能實現(xiàn)多粒子量子漫步的完全可編程動態(tài)模擬;

4月國內(nèi)實現(xiàn)7nm芯片試產(chǎn),6月中國科學院成功設計出14nm的“香山”芯片,8月中芯國際FinFET工藝已達每月1.5萬片量產(chǎn)水平,高端芯片領域取得了階段性成果。

此外,量子技術領域,清華大學首次在實驗中完成了兩個DLCZ量子中繼模塊之間的高效糾纏連接,是實現(xiàn)實用化的量子中繼器的一個關鍵步驟。

中國科學技術大學研究團隊在光量子存儲領域取得了重要突破,將光存儲時間提升至1小時,大幅度刷新了2013年德國團隊光存儲1分鐘的世界紀錄,向?qū)崿F(xiàn)量子U盤邁出重要一步,同時該團隊首次實現(xiàn)多模式量子中繼,實現(xiàn)兩個吸收型量子存儲器之間的可預報量子糾纏,為量子中繼的發(fā)展研究開創(chuàng)了可行的方向,為實用化高速量子網(wǎng)絡的構建打下基礎。